熔炼炉中频可控硅导通工作原理

　　由于熔炼炉中频的容量大，充电电压的平均值可达到电源电压U，故在分析过程中，可把它视为一直流电源。当可控硅导通时，通过电感负载，充电电流fc由零逐渐增大。它一方面在RH上产生损耗，另方面使CF的电场能量中的磁场能量增大。当被充电*电源电压时，达*大。

　　熔炼炉中频中的磁场能量释放，使电流仍维持原方向和充电过程得以继续，直到磁场能量消失减小到零，C上电压将高于电源电压，这*是所谓的振荡过充电。*此，在负载*过半个周渡电流，其波形近似为正弦渡。此后，换向电容器，开始放电，反向并联=极管，导通，负载中流过反向电流。随着放电电流的增大和C端电压的减少，电势中又逐渐积蓄磁场能量。当C，放电*电源电压值时，放电电流选*大。然后，电感中的磁场能量使放电过程继续，直*磁能消失，放电电流为零，这一过程形成电流的反向半波。

　　在熔炼炉中频二极管导通期间，即负载电流的负半波期间，在可控硅上有数值等于二极管正向压降的反向电压，以保证可控硅恢复阻断。