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感应加热电源经历了了20世紀20年代的发电机组与真空管发生器,60年代初的晶闸管(SCR)发生器,80年代初的晶体管发生器,直到90年代中期的现代功率晶体管(IGBT、MOSFET等)发生器这样一个发展进程。
自20世紀60年代后期生产出了额定电流达300A的快速开关型晶体闸管SCR(Silicon ControledRectifier)之后,使得在技术和经济性方面的障碍得以解决,从而为提供SCR中频感应加热电源成为可能,并导致了中频加热机式中频电的淘汰。
20世纪80年代中期,已开发出适合于新一代感应加热电源的新型功率元器件,其中包括:①具有功率大,开关速度快,损耗低的功率半导体器件MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)和 IGBT (InsulatedGate Bipolar Transistor);②能满足高频、大容量(kvar)、低损耗、很小电感、体积小,以及容易水冷的电容器;③能够承受大电流、电压比抽头灵活及容易实现负载匹配的高频(达300kHz)铁氧体磁心变压器。
现代感应加热电源*是指以各类功率晶体管,如MOSFET、IGBT等为功率器件的感应加热电源,也称为(全)固态感应加热电源。固态感应加热电源是针对老式晶闸管(SCR)和真空管感应加热电源来说的。感应加热电源的频率范围很广,大致对频率低于10kHz以下的电源称为中频感应加热电源;频率为10~100kHz的称为超音频感应加热电源;频率高于100kHz的称为高频感应加热电源。按照功率器件SCR、MOSFET和IGBT的频率特性及功率容量来看,SCR主要应用于中频感应加热。从目前IGBT感应加热电源的制造水平来看,国际上达到了1200kW/180kHz,我国为1000kW/50kHz;MOSFET感应加热电源的制造水平,国际为2000kW/400kHz,我国为10~250kW/50~400kHz,1800kW/150kHz.
现代感应加热电源具有如下特点:
1)所涉及的电路基本理论变化不大,由于新型功率器件的问世,其电路及实现技术有了很快的发展。
2)功率整流及逆变电路的器件多采用模块器件代替单只功率器件。