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中频炉可控硅元件在系统的工作中具有很多性能上的优点，但过载能力较差。短时的过压、过流都可能导致元件损坏，因此，系统必须根据工作特性采取可靠的保护措施。
中频炉可控硅中频装置同一般采用可控硅的装置一样，必须采取常规保护措施，即利用阻容吸取装置和硒堆来抑制由于变压器漏感，寄生电容和线路电感在操作时产生的浪涌电压；把电感线圈、快速熔断器等元件串入某些回路，以限制可控硅的电流变化率和进行瞬时的过凌保护。除此之外，还应根据中频炉可控硅中频装置本身的特点考虑下列因素，来设计相应的保护线路：
1）由于换流失败造成整流输出端直通（短路）。
2）因反馈信号失常或逆变桥中某快速熔断器饶毁，而造成逆变端过压。
3）误操作成负载变化造成的过压、过流。
下面*是中频炉为防止因上述故障损坏元件，而设计的几种保护线路。
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