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半桥逆变器实际上也是由两个单端正激式变换电路组合而成,其中,一个桥臂由两个特性相同、容量相等的电容器承担,每个电容器承受112的直流母线电压,另一桥臂由两个受脉宽调制( PWM)信号控制驱动的半导体功率开关管承担,故称半桥变换器,即Half-Bridge Converters。控制功率器件开关的驱动信号互补,相差180。
两个PWM驱动信号之间留有死压时间,防止信号扰动时导致两个功率开关器件同时导通,造成器件损坏及逆变失败。
C2的均压和电荷泄放电阻,并确保Ri =Rz,Cl一C2,制造过程中应对上述四个元件进行检测,挑选配对使用。功率开关器件通常在高频加热电源中使用场效应晶体管MOSFET及绝绦
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